Программа рэм-2015 1 июня, понедельник 10. 00 18. 30 Лекции Школы



жүктеу 0.62 Mb.
бет1/5
Дата01.05.2016
өлшемі0.62 Mb.
түріЛекции
  1   2   3   4   5
: sem -> doc conf 08
sem -> Семейдің Абай атындағы ғылыми әмбебап кітапханасы «Бір ел – бір кітап» акциясының бірінші күні
sem -> Семинар бағдарламасы Тақырыбы: «Қазақ тілі мен қазақ әдебиетін оқытудың әдістері»
sem -> Қазақстан республикасының білім және ғылым министрлігі
sem -> Семинар Қостанай 2007 Тілдің арқасында біреуді біреу танып, бір халық екінші көрші
sem -> Литература для школьников на книжном рынке Казахстана. Муратова Алма Шариповна, зав библиотекой сш №115
sem -> Техническое задание на курсовой проект Введение Обоснование выбора оптической схемы Определение основных оптических характеристик
sem -> Семинар: «Основы abap-программирования»
doc conf 08 -> Мероприятие проводится при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Проект №15-02-20248 программа
Предварительная программа РЭМ-2015
1 июня, понедельник
10.00 – 18.30 Лекции Школы
2 июня, вторник
9.30 – 9.35 открытие Симпозиума
9.35 – 13.25 Приглашенные и устные доклады
Магниторезонансная силовая микроскопия ферромагнитных наноструктур

А.П. Володин



Католический университет Левен, Бельгия
Магнитно-силовая микроскопия планарных ферромагнитных наноструктур

О.Л. Ермолаева1,2, В.Л. Миронов1,2



1. Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород, Россия
2. Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского
г. Нижний Новгород, Россия

Зондовая микроскопия эпитаксиальных структур из металлов: морфология и магнитные свойства

Г.М. Михайлов, Л.А. Фомин, И.В. Маликов, А.В. Черных

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, г. Черноголовка, Московская обл., Россия
Роль величины туннельного промежутка и орбитальной структуры зонда в сканирующей туннельной микроскопии атомарного разрешения

А.Н. Чайка1, В.Н. Семенов1, С.С. Назин1, Н.Н. Орлова1, В.Ю. Аристов1, С.И. Божко1, O. Lübben2, S.A. Krasnikov2, B.E. Murphy2, K. Radican2, I.V. Shvets2, V. Grushko3, A. Chepugov3, N. Novikov3, E. Mitskevich3, O. Lysenko3

1 Институт физики твердого тела РАН, 142432, Черноголовка, Россия
2 CRANN, School of Physics, Trinity College Dublin, Dublin 2, Ireland
3 V. Bakul Institute for Superhard Materials, Kiev, 04074, Ukraine

Перерыв
Силовая и электрическая нанолитография с помощью сканирующего зондового микроскопа

А.Г. Темирязев



Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им.В.А. Котельникова РАН,

141190 Московская обл., Фрязино, Россия
Исследование формирования микро- и нанодоменных структур в одноосных сегнетоэлектриках методами сканирующей зондовой микроскопии

В.Я. Шур1

1 Институт естественных наук, Уральский федеральный университет,
г. Екатеринбург, Россия

Инновации в сканирующей зондовой микроскопии

В.А. Быков



НТ-МДТ
Методы сканирующей зондовой спектроскопии

П.С. Дорожкин



НТ-МДТ
13.25 – 14.30 Обед
14.30 – 16.35 Устные доклады
Измерение коэрцитивного поля и локальной проводимости тонких сегнетоэлектрических пленок Pb(Zr, Ti)O3 с помощью методов сканирующей зондовой микроскопии

Е.В. Гущина1, М.С. Дунаевский1,2, Л.А. Делимова1

1. Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая 26, Россия
2. Национальный исследовательский университет “ИТМО”, 197101, Санкт-Петербург, Кронверкский проспект, 49

Модификация метода дифракции обратно рассеянных электронов (EBSD)

Е.Б. Якимов



Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, г. Черноголовка, Московская обл.,
Обзор математических моделей электронной оптики изображающих систем

В.Я. Иванов



Институт вычислительных технологий СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Акад. Лаврентьева 6, Россия
Гибридный электронно-зондовый 3D нанопринтер – наноскоп

В.В. Казьмирук1, С.П. Червонобродов2, И.В. Яминский3



1. ФГБУН Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, г. Черноголовка, Московская обл., Россия

2. ФГБУН Институт химической физики РАН, г. Москва

3. МГУ им. М.В. Ломоносова, г. Москва
Режимы гибридного наноскопа для проведения комплексных исследований

В.Д. Гелевер, Е.Ю. Усачев, А.А. Манушкин

Московский государственный технический университет Радиотехники, Электроники и Автоматики, г. Москва, 5-я улица Соколиной Горы, д. 22.gelgan@ yandex.ru
16.35 – 19.00 Сообщения о новых разработках оборудования
17.30 – 19.00 Стендовая сессия для секций I, II, III, V

3 июня, среда
9.00 – 13.30 Устные доклады (физика)
Рассеяние электронов металлическими наночастицами в низковольтной растровой электронной микроскопии

В.Ю. Михайловский, Ю.В. Петров, О.Ф. Вывенко

СПбГУ, физический факультет; Санкт-Петербург, Петергоф, Ульяновская , 1.
Стимулированное облучением низкоэнергетичным электронным пучком движение дислокаций в плоскости (0001) в латерально-зарощенных пленках GaN

П.С. Вергелес1, Е.Б. Якимов1



1 Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, г. Черноголовка, Московская обл., Россия
Новые возможности и перспективы методов электронной спектроскопии в сканирующем электронном микроскопе

Э.И. Рау1,2, А.В. Гостев2, С.А. Дицман2, С.В. Зайцев1, С.Ю. Купреенко1, А.А. Татаринцев2, И.О. Толстов1

1 Физический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова, г. Москва
2 Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, г. Черноголовка, Московская обл., Россия

Современные методы растровой ионной микроскопии для создания оптических
метаматериалов и плазмонных наноструктур

М.В. Горкунов1, В.В. Артемов1, О.Ю. Рогов1, С.П. Палто1, А.А. Ежов1,2

1 Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, 119333, г. Москва,
Ленинский проспект 59, Россия
2 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119991, г. Москва, Россия

Некоторые аспекты зарядки сегнетоэлектрика LiNbO3, обнаруженные при записи доменов электронным лучом в РЭМ

Л.С. Коханчик1, Р.В. Гайнутдинов2, Т.Р. Волк2



1 Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432, г. Черноголовка, Московская обл

2 Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, 119333, г.Москва
Перерыв
Модификация металлических наноструктур с помощью ионных пучков

С.А. Гусев1,2, Н.С. Гусев1,2, Ю.В. Петров3, Н.В. Смирнов2, Д. А. Татарский2

1Институт физики микроструктур РАН, ул. Академическая, д. 7, Нижний Новгород, 607680

2 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, пр. Гагарина, 23, Нижний Новгород, 603950

3 МРЦ "Нанотехнологии" Санкт-Петербургского государственного университета, ул. Ульяновская д. 1, Старый Петергоф, Санкт-Петербург, 198504
Применение методов ВРЭМ и РСМА для контроля структурообразования в композитах ПТФЭ при воздействии гамма-излучения выше температуры плавления кристаллитов

Н.В. Садовская, С.Ю. Обвинцев, М.А. Арсентьев, С.А. Хатипов

АО Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова.
г. Москва, пер. Обуха, д.3, Россия

Растровая и атомно-силовая микроскопия наноструктурированных материалов и нанокомпозитов на основе природных полимеров

Суханова Т.Е.1, М..Э. Вылегжанина1, А.А. Кутин1, В.А. Петрова1, Ю.А. Скорик1, А. Гонцу2, Т. Лупашку2.

1 Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук,

199004, г. Санкт-Петербург, В. О. Большой пр. д. 31, Россия
2 Институт химии Академии наук Молдавии, MD-2028, г. Кишинев, ул. Академическая

Особенности применения сканирующей зондовой микроскопии в минералогических исследованиях

Е.А. Голубев, Н.Н. Пискунова

Институт геологии Коми НЦ УрО РАН

Статическая и динамическая атомно-силовая микроскопия наномостиков хризотила

А.В. Анкудинов, Б.О.Щербин

ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН,

Университет ИТМО

13.30 – 15.30 Обед (физика)
15.30 – 18.00 Стендовая сессия для секции IV (физика)

3 июня, среда

11.00 – 13.00 Стендовая сессия для секции VI (биология)
13.00 – 14.00 Обед (биология)
14.00 – 18.00 Устные доклады (биология)
Морфология и агрегация самоорганизующихся пептидов RADA-16

Д.В. Багров1,2, Ю.С. Газизова1, В.В. Подгорский1, И.П. Удовиченко3, Д.В. Клинов



1 Научно-исследовательский институт Физико-Химической Медицины, 119435, г. Москва, Россия
2 Московский Государственный Университет, 119991, г. Москва, Россия


3 Филиал Инс

титута Биоорганической Химии, 142290, Московская обл., г. Пущино, Россия
Исследование деформаций адгезионных микрощетинок геккона токи (Gekko gecko L.)

А.И. Ильин1, Ю.Ф. Ивлев2, О.В.Трофимов1



1 Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, г. Черноголовка, Московская обл., Россия

2 Институт проблем экологии и эволюции им. А.Н. Северцова РАН,119071, Москва, Ленинский проспект, д. 33., Россия

Роль αС областей фибриногена в образовании фибриновых волокон по данным атомно-силовой микроскопии высокого разрешения

А.Д. Протопопова1, Н.А. Баринов1, Е.Г. Завьялова2, А.М. Копылов2, Д.В. Клинов1

1 ФГБУН НИИ Физико-химической медицины ФМБА России, г. Москва, 119435, Малая Пироговская, д. 1а
2 Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, химический факультет, г. Москва, 119991, Ленинские горы, д. 1, стр. 2

Применение сканирующей электронной микроскопии в гидробиологии: проблемы и

перспективы

А.Н. Неретина

ФГБУН Институт проблем экологии и эволюции им. А.Н. Северцова РАН, 119071, Москва, Ленинский проспект 33
Сканирующая электронная микроскопия токсичных динофлагеллят

А.Ф. Крахмальный1 Ю.Б. Брянцева2



1 Институт эволюционной экологии НАН Украины, 03143, г. Киев, ул. Акад. Лебедева, 37, Украина

2 Институт ботаники им. Н.Г.Холодного НАН Украины, 01601, г. Киев, ул. Терещенковская, 21, Украина
Сравнительная РЭМ морфология личинок клещей-паразитенгон – паразитов позвоночных и беспозвоночных животных

А.Б. Шатров



ФГБУН Зоологический институт РАН, 199034, Санкт-Петербург, Россия
Особенности взаимодействия патогенных стафилококков разных видов с клетками культуры НТ-29 по данным сканирующей электронной микроскопии

Н.В. Шевлягина1, М.А. Корниенко2, В.Н. Копыльцов2, Л.А. Любасовская 3, Т.В. Припутневич Т.В.3,

Е.Н. Ильина2



1ФГБУ «НИЦЭМ им. Н.Ф. Гамалеи» Минздрава России, 123098, Москва, ул.Гамалеи, 18

2 ФГБУН «НИИ Физико-химической медицины» ФМБА России, Москва, 119435, Малая Пироговская, 1а

3 ФГУ «НЦАГиП им. В.И. Кулакова» Минздравсоцразвития РФ, 117997, г. Москва, ул. Академика Опарина, д. 4

4 июня, четверг
9.00 – 14.00 Устные доклады
Исследование методами EBIC, LBIC и оптической микроскопии дефектов в плоскости скольжения дислокаций в кремнии

В.И. Орлов1,2, Н.А. Ярыкин1, Е.Б. Якимов1,3



1. Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, г. Черноголовка, Московская обл., Россия

2. Институт физики твердого тела РАН, г. Черноголовка, Московская обл., Россия

3. Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», Москва, Россия
Исследование магнитной структуры аморфных микропроводов в стеклянной изоляции с помощью сканирующей электронной и зондовой микроскопии и магнитооптики

Н.Н. Орлова, А.С. Аронин, Ю.П. Кабанов, В.С. Горнаков, С.И. Божко

Институт физики твердого тела РАН, г. Черноголовка, Московская обл., Россия
Растровая электронная микроскопия пористого кремния, полученного методом ионной

имплантации



В.В. Воробьев1,2, Ю.Н. Осин1, Д.А. Таюрский2, А.Л. Степанов3

1 Междисциплинарный центр Аналитическая микроскопия, КФУ, 420008,
г. Казань, Кремлевская 18, Россия
2 Институт физики, КФУ, 420008, г. Казань, Кремлевская 18, Россия
3 Казанский физико-технический институт РАН, 420029, г. Казань, Сибирский тракт 10/7, Россия

Модифицирующее влияние Ni и Mo  на структуру износостойких нанокристаллических покрытий на основе TiN

В.С. Сергевнин, Д.С. Белов, И.В. Блинков, А.О. Волхонский



Москва, Ленинский проспект, 4. НИТУ «МИСиС»
Исследование в РЭМ фторидных монокристаллов, обнаруживающих коротковолновую люминесценцию

К.М.Девяткова, Л.И.Девяткова, В.Б.Тверской

Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова, 119991, Москва, Ленинские горы, д.1
Перерыв

Исследование переходных областей КНИ гетероструктуры монокремний-стекловидный

диэлектрик-монокремний МЭМС тензорезистивного преобразователя давления методами растровой электронной и зондовой микроскопии

Л.В. Соколов



ОАО «НИИ авиационного оборудования», 140185, г. Жуковский, ул. Туполева, 18
Использование двухфотонной конфокальной микроскопии для исследования объёмных неоднородностей в широкозонных полупроводниках

В.П. Калинушкин, О.В. Уваров

ФГБУН Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН 119991, Москва, ул. Вавилова, 38
Исследование ультратонких пленок C60 при помощи сканирующей туннельной микроскопии

С.И.Божко1, Е.А.Левченко1,2.

1 Институт Физики Твёрдого Тела РАН, Черноголовка, Российская Федерация


2 Астраханский Государственный Университет, Астрахань, Российская Федерация
Исследование пространственной микроструктуры пористых материалов методом трехмерной реконструкции по данным ФИП/РЭМ

А.А. Михуткин1, Е.Б. Пичкур1, И.А. Каратеев1, Н.С. Балушкина2, Г.А. Калмыков2, М.Ю. Спасенных3,

Н.Н. Богданович3, А.М. Плешаков3, А.Л. Васильев1,4



1 Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт», 123182 Россия, Москва, пл. Академика Курчатова, д. 1
2 Геологический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, 119991 Россия, Москва, ГСП-1, Ленинские горы, МГУ, д. 1, Главное здание, Сектор "А", 3—8 этажи


3 Сколковский институт науки и технологий, 143025 Россия, Московская обл., Одинцовский р-н, Новоивановское городское поселение, дер. Сколково, ул. Новая, д. 100

4 Институт кристаллографии РАН, 119333 Россия, Москва, Ленинский проспект, д. 59
Ионная литография единичных плазмонных наноструктур в тонких слоях благородных металлов

О.Ю. Рогов, В.В. Артемов, М.В. Горкунов

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, 119333, г. Москва,
Ленинский проспект 59, Россия


14.00 Обсуждение и принятие решения Симпозиума


Стендовые сообщения
2 июня, вторник 17.30 – 19.00

Секция I. Электронная оптика и новые приборы, обработка изображений
Исследование влияния толщины оксидных наноразмерных структур титана на их мемристорные свойства

В.И. Авилов, В.А. Смирнов, О.Г. Цуканова



Южный федеральный университет, 344006, г. Ростов-на-Дону, ул. Большая Садовая, 105/42, Россия
Разработка и исследование технологии наноразмерной взрывной литографии на основе

фокусированных ионных пучков

О.А. Агеев, О.И. Ильин, А.А. Федотов, Н.Н. Рудык

Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, 374928, г. Таганрог, Ростовская обл., Россия
Меры для калибровки растровых электронных микроскопов в широком диапазоне увеличений

В.П. Гавриленко1, А.В. Заблоцкий2, А.А. Кузин2, А.Ю. Кузин1, В.Б. Митюхляев1, П.А. Тодуа1,

М.Н. Филиппов1,3

1 ОАО «Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума», 119421, г. Москва, ул. Новаторов 40, корп.1

2 Московский физико-технический институт, 141700, Московская облаcть,
г. Долгопрудный, Институтский пер., 9


3. Институт общей и неорганической химии им. Н.С.Курнакова РАН, 119991,

г. Москва, Ленинский проспект, 31
Моделирование работы просвечивающего электронного микроскопа на графических процессорах

А.В. Дубинец1, Е.В. Пустовалов1, А.Н. Федорец1, Е.Б. Модин1, А.В. Кириллов1, В.В. Ткачев1,

В.С. Плотников1



1 Дальневосточный федеральный университет, г. Владивосток, ул. Суханова 8, 690950
Устройство манипулирования микрообъектами для электронной микроскопии

Иржак А.В.1,2, Дикан В.А.2, Маширов А.В.3, Захаров Д.И.2, Афонина В.С.3, Мазаев П.В.3, Жихарев А.М.3, Калашников В.С.3, Коледов В.В.3, Ситников Н.Н.4, Шеляков А.В.4, Шавров В.Г.3



1 Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, г. Черноголовка, Московская обл., Россия
2 Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», г. Москва, Россия
3. Институт радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова РАН, г. Москва, Россия
4. 3Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», г. Москва, Россия

Обработка РЭМ изображений с использованием морфологической и байесовской фильтрации

Т.С. Кириллова, В.С. Плотников, С.В. Полищук, Е.Б. Модин, К.А. Петров



Дальневосточный Федеральный Университет, г. Владивосток, Суханова 8, 690950
Моделирование изображений длинноволновых неоднородностей в аморфных сплавах

К.А. Петров, В.С. Плотников, С.В. Полищук, Т.С. Кириллова



Дальневосточный Федеральный Университет, г. Владивосток, Суханова 8, 690950
Анализ сеточных структур на РЭМ-изображениях

С.В. Полищук, К.А. Петров, Т.С. Кириллова, Е.Б. Модин



Дальневосточный Федеральный Университет, г. Владивосток, Суханова 8, 69095
Аналитическое описание диаграмм эмиттанса и распределение плотности тока в пучке

О.Д. Потапкин



МИРЭА, 119454 Москва, Проспект Вернадского 78, Россия; potapkin@mirea.ru
Вторичные электроны в низковольтной установке электронно-лучевой литографии

О.Д. Потапкин, А.А.Мельников



МИРЭА, 119454 Москва, Проспект Вернадского 78, Россия; potapkin@mirea.ru
Эквивалентный цилиндр 2

О.Д. Потапкин



МИРЭА, 119454 Москва, Проспект Вернадского 78, Россия; potapkin@mirea.ru

2 июня, вторник 17.30 – 19.00

Секция II. Растровая электронная, растровая просвечивающая электронная, ионная микроскопия, аналитические и дифракционные методы
Применение фокусированного ионного пучка для манипуляций с нанопроволоками

Р.Л. Волков1, Н.И. Боргардт1, Е.Б. Гордон2, В.Л. Гуртовой3

1 Национальный исследовательский университет «МИЭТ», 124498, Москва, Зеленоград, пр. 4806, д. 5

2 Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка, Московская обл., Россия

3 Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, г. Черноголовка, Моск. обл.,
Микропластическая деформация кремния вблизи перехода пластичность-хрупкость. РЭМ и АСМ анализ структуры и электрических свойств дефектов

В.Г. Еременко, П.С. Вергелес



1 Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, г. Черноголовка, Московская обл.,
Визуализация подповерхностных наноструктур в РЭМ и определение их положения в глубине

образца


Г.С. Жданов, М.С.Ложкин

Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Метод наведенного тока в исследованиях полупроводниковых приборов большой мощности

В.А. Злобин



Всероссийский электротехнический институт им. В.И.Ленина, 111250, г. Москва
Исследования динамики формирования пленок ЕuО на (001) Si методом ПРЭМ

К.Г. Каратеева1, Д.В.Аверьеянов1, И.А. Каратеев1, Ю.Г. Садофьев1, А.М. Токмачев1, В.Г. Сторчак1,

А.Л. Васильев1



1 Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт, Москва, Россия
РЭМ анализ композиционных тонких пленок на основе анизотропных нанопорошков металлов

В.И. Кулинич2, В.В. Коломиец2, В.В. Найден2, Е.И. Бубликов1, Е. Г.Мунтяну2



1. Донской государственный технический университет г. Ростов-на-Дону, Россия

2. Южнороссийский государственный политехнический университет (НПИ)

им. М.И. Платова, г. Новочеркасск, Ростовская обл., Россия
Морфология и структура модифицированной поверхности пленки SnO2 методом вакуумной конденсации Ag, Au и Pd

C.Б. Кущев1 , А.А. Синельников 2, С.А. Солдатенко1 , С.В. Рябцев2, М.А. Босых1, Клюшникова Е.С.2,

А.А. Репкина2

1. Воронежский государственный технический университет, 394026, Воронеж, Московский пр-т. 14, Россия

2. Воронежский государственный университет, 394006, Воронеж, Университетская пл. 1, Россия
Сравнение значений размеров меры МШПС-2К, полученных с помощью РЭМ и ПЭМ

Ю.В. Ларионов



Институт общей физики им. А.М.Прохорова РАН, 119991, Москва, Вавилова 38
Зависимость контаминации образца в высоковакуумном РЭМ от режима сканирования

Ю.В. Ларионов



Институт общей физики им. А.М.Прохорова РАН, 119991, Москва, Вавилова 38

  1   2   3   4   5


©netref.ru 2017
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет